橢圓偏光儀基本上是利用反射光相對于入射光偏極態的轉變，以反推介質的光學特性。

為了測量變化中的材料，如電漿蝕刻薄膜、真空鍍膜過程的沉積速率和厚度、加溫中的晶體以及高分子的感光過程，

 

對橢圓偏光儀測量速度的改進已成為近年來業界研究的主要目標。

 

簡式到線上即時監控的橢圓偏光儀的研究已有十多年。從將補波片換成光彈調變器，

我們將快速資料擷取卡裝置在系統中。最近所提出的記錄后分析法，已可在20 µs測量一組橢圓偏光參數。

 

 

本文提出一雷射反射光彩像結合標準探針式粗糙度量測方法，以已知波長之He-Ne雷射光爲光源，預估其反射影像線寬與粗糙度(R(下標 a))之關系。量測系統建立在材料、入射角、波長及檢測距離等參數設定下，可獲得一簡單量測執行模式。此執行模式經由多次實驗值顯示均可供生產線上之相同材料粗度檢驗，其R(下標 a)值量測不準確度在0.034μm以內。