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本文標題："熔融態硅的石墨坩堝加工技術簡介"

發布者：yiyi ------ 分類: 行業動態 ------ 人瀏覽過-----時間：2017-10-31 22:10:35

熔融態硅的石墨坩堝加工技術簡介

現代的切克勞斯基拉單晶工藝是在1917年切克勞斯基發明的金

屬單晶生長技術基礎上發展而成的。它的基本程序是，將頂端夾有

單晶硅籽晶的夾持桿伸人到含有熔融態硅的石墨坩堝中，籽晶部分

浸入熔融硅。然后一面旋轉，一面慢慢地拉出籽晶，一般拉取速度

約為每分鐘幾毫米。整個過程必須在氬氣氛保護下進行。圖13—3

示出了切克勞斯基拉晶爐的結構示意圖。該爐可以用射頻(RF)功率

加熱，也可以用一般的電源加熱。在加熱熔化多晶硅過程中，可以

添加一定量的摻雜雜質，使生長的單晶具有設計好的n型或P型性質

。摻雜的數量，在單晶棒的徑向截面上是恒定的，但在沿棒的軸向

方向上是有所不同的，好在這種數量的變化是可預知的，所以它不

會對微電子器件的生產造成嚴重問題。

切克勞斯基工藝生長的晶體硅純度不是很高，有些時候，例如

生產功率器件時，因為需要材料具有很高的載流子遷移率，所以要

求硅有更高的純度，這時切克勞斯基法已不大適用。可以采用的方

法之一是懸浮區熔技術，它的生產成本較高

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