本文標(biāo)題："制備電子-納米封裝的納米結(jié)構(gòu)電子顯微鏡"
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制備電子-納米封裝的納米結(jié)構(gòu)電子顯微鏡
納米封裝——納米技術(shù)與電子封裝建模在制造工藝方面的應(yīng)用
制造工藝主要用于制備電子系統(tǒng)納米封裝的納米結(jié)
構(gòu)，
納米級制造的三種技術(shù)，分別說明了自下而上（電
沉積）和自上而下（聚焦離子束和印制成形）的納米制備方法。聚
焦離子束工藝模擬
聚焦離子束（Focused Ion Beam，F(xiàn)IB）是微米或納米尺度下
在一個(gè)指定區(qū)域中去除將材料或是將材料沉積在其表面的一種銑削
工藝。聚焦離子束的工作原理是采用高能鎵離子Ga十（或其他離子
）對目標(biāo)表面進(jìn)行撞擊，使少量的材料以二次離子、自然原子和二
次電子的形式濺射出去，從而實(shí)現(xiàn)在目標(biāo)表面去除材料。
與其他傳統(tǒng)方法相比，聚焦離子束工藝極大地降低了對受離子
撞擊表面的傷害。聚焦離子束工藝需控制的一個(gè)關(guān)鍵變量是深度變
化值。該變量的正確控制對保證恰當(dāng)?shù)刂圃斐鋈S納米裝置、微縮
物體、各種微系統(tǒng)的外殼和模具都至關(guān)重要。
目前，研究人員已經(jīng)開發(fā)出了一個(gè)數(shù)學(xué)模型，該模型可用來預(yù)
測刻蝕形狀或是計(jì)算達(dá)到預(yù)定形狀所需要的停頓時(shí)間。該模型假設(shè)
在目標(biāo)表面存在一個(gè)正方形的像素矩陣。然后濺射模型被分布到該
像素矩陣的每一個(gè)元素上，并由此建立了一個(gè)將任意像素上濺射停
頓時(shí)間fd與濺射深度峨聯(lián)系起來的線性方程組。如下給出了該模型
的簡單描述。
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