本文標題："由于在1大氣壓下不論是碳或碳化硅都不熔融-材料顯微鏡"
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由于在1大氣壓下不論是碳或碳化硅都不熔融-材料顯微鏡
最近的硅——鍺
合金系的電性測量證明了硅——鍺合金的半導體性能表現(xiàn)出在
單質(zhì)間的平滑變化關(guān)系，合金半導體的存在，其中禁帶寬度可能
隨成分而改變，這對于半導體工作者有著相當大的意義，并且能
夠用以制得其他途徑所不能制成的器件。
硅——鍺
實際上，鑒于碳化硅的形成自由能很小，固相碳化鍺的不穩(wěn)定
性是不足為奇的，這是固體硅與碳的高的鍵能的結(jié)果，于是鍺-
碳鍵能只要稍小于碳化硅時。則不致出現(xiàn)固相碳化鍺。
碳化鍺中或碳鍺在碳中都沒有固溶體，在鍺錠中有萬分這之幾
的碳，但是他不骨確定這些數(shù)量的碳是溶解于鍺晶格中或以第二
相包襄物存在。
無碳化鍺固體存在并不妨礙在碳化硅晶格內(nèi)的硅原子大量被鍺
取代，三元相圖文并茂假定鍺取代了碳化硅中一部分硅，碳化硅
-碳化鍺泥溶的可能性導致考慮在三元系中一組新的有意義的半
導體材料。
任何三元系的最可行的研究方法是研究任意成分點的均勻液相
的冷卻試樣，但由于在1大氣壓下不論是碳或碳化硅都不熔融，
所以這個通常的研究方法對于三元系的大部分區(qū)域都不可能適用
，而應用一般設計的爐子內(nèi)所能獲得的中等程度的壓力將會使三
元系中液相區(qū)域顯著地擴大。
另外一個應當采取的研究途徑是借用擴散實驗研究極限溶解度
與擴散系數(shù)，這種實驗技術(shù)是眾所周知的，與制備半導體器件所
采用的技術(shù)相似，從冶金學的觀點出發(fā)，研究硅、鍺與碳在碳化
硅中的擴散作用應當是極有意義的，同時也為設計碳化硅或碳化
鍺硅半導體器件提供了所需要的資料。
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